Ф.И.О.
Осадчий Евгений Николаевич
Ученая степень
• кандидат технических наук
Ученое звание
доцент
Почетное звание
—
Организация, должность
• Южный федеральный университет
доцент
Научные интересы
Твердотельная электроника и наноэлектроника микроволнового диапазона. Нелинейные устройства на наноструктурных диодах и транзисторах микроволнового диапазона.
Адрес веб-сайта
—
Электропочта
Текущий рейтинг (суммарный рейтинг статей)
0
TOP5 соавторов
—Статей в журнале: 1 шт
Сформировать список работ, опубликованных в Научном журнале КубГАУ
-
Краткое описание
В статье рассматривается влияние автосмещения в резонансно-туннельном диоде (РТД) на динамический диапазон усилителей на данных диодах. Рассматривается усиление на резонансной частоте и влияние высших гармоник не учитывается, так как они не создадут значительного падения напряжения на нелинейном сопротивлении диода. Предполагается, что усиление будет достаточно большое и тогда характер зависимости коэффициентов усиления от степени регенерации будет одинаков для усилителей «на проход» и на «отражение». Это позволяет рассмотреть задачу для обоих типов усилителей на РТД. Рассмотрены виды амплитудных характеристик , которые возможны для усилителя на РТД. Построены зависимости параметра, определяющего динамический диапазон усилителя от положения рабочей точки для нескольких значений произведения сопротивления по постоянному току цепи питания на величину модуля максимальной отрицательной проводимости туннельного промежутка RG max. Для каждого значения RG max при заданных параметрах можно определить положение рабочей точки, обеспечивающее заданный режим усилителя. Построены зависимости величины динамического диапазона с учетом автосмещения и при отсутствии автосмещения для двух значений степени регенерации. Учитывая автосмещение, были выявлены два возможных вида амплитудных характеристик и границы их существования. Для этих двух типов амплитудных характеристик были получены выражения, определяющие динамический диапазон усилителя
pdf 268.611kb
doc 268.611kb